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SAMSUNG(韩国三星半导体)
- FAIRCHILD(美国仙童半导体)
- Micron(美国镁光)
- Hynix(韩国海力士)
- Elpida(日本必尔达)
- IR（美国国际整流器公司）
- ST(意法半导体)
- ON SEMI（安森美半导体）
- MagnaChip(韩国美格纳)
- EPSON（日本爱普生晶振）
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行业新闻 / Industry News
2009年海力士将DRAM芯片生产成本削减30%
韩国海力士半导体战略企划资深副总裁权五哲5日称，该公司目标在2009年将DRAM芯片生产成本削减30%，NAND芯片生产成本的减幅目标还未确定。综合外电2月5日报道，韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor Inc.） 5日表示，该公司目标在2009年将DRAM芯片生产成本削减30%。
海力士半导体战略企划资深副总裁权五哲（O.C. Kwon）在关于该公司08年第四季度财报的一个电话会议期间表示，该公司NAND芯片生产成本的减幅目标还未确定。